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辽宁碳化硅是一种兼具高强度、高导热、耐高低温的新型无机材料，广泛应用于耐火材料、精密磨料、半导体功率器件等领域。
工业级辽宁碳化硅粉体产量大、应用广，主流生产工艺为碳热还原艾奇逊法。以高纯石英砂为硅源、石油焦为碳源，搭配木屑作为疏松助剂，充分混合后装入电阻炉中。通过中心石墨电极通电加热，使炉内温度升至1900至2200摄氏度，触发氧化硅与碳的还原反应，生成碳化硅晶体。反应全程持续数十小时，冷却后将块状晶体破碎、磁选除铁、酸碱酸洗提纯，再经筛分、干燥得到成品粉体。碳热还原艾奇逊法技术成熟、产能大、成本低廉。
针对半导体领域，需采用物理气相传输法（PVT）制备碳化硅单晶衬底，这是芯片制造的重要基材。由于碳化硅无熔融液态，无法采用传统拉晶工艺，行业普遍使用改良莱利法。工艺将超高纯碳化硅粉体置于石墨坩埚底部，顶部固定单晶籽晶，在惰性气氛下升温至2100至2400摄氏度，使粉体升华形成气相基团，依靠坩埚内外温度梯度，让气相物质在低温籽晶表面有序沉积，缓慢生长出完整碳化硅晶锭。
晶锭经打磨、定向切片、双面研磨、化学机械抛光等精密工序，制成高精度半导体晶圆。后续通过化学气相沉积工艺，在晶圆表面生长可控厚度的外延层，满足功率半导体器件的制造要求。
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